第291章 半导体提议，光刻厂！ (第9/24页)
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“王董，你稍等下，这种严密的技术性问题，我也不在行，可否让我录个视频，回去给专家院士看？”
“没问题。”王逸摆了摆手。
“谢谢！”秦主任和蔼一笑，当即拿出星逸xphone 1，打开视频录制：“好了，王董，请继续说。”
王逸点点头：“众所周知，阿斯麦的EUV光刻机之所以厉害，能做到5纳米以下的芯片制程，就是因为它能制造5纳米的极紫外光源，这种光源是未来5纳米以下制程芯片的关键。”
“而DUV光刻机的深紫外光源，最多能制造10纳米芯片。通过多重曝光技术，才能量产7纳米，5纳米。甚至5纳米的良品率都不高，成本却不低。至于5纳米以上的4纳米，3纳米，那更不现实，只能靠EUV光刻机的极紫外光源。”
“同样，我们本质上需要的不是EUV光刻机，而是5纳米的极紫外光源！”
“EUV光刻机我们目前造不了，未来难度也很大。但是我们反其道而行，通过其他方式，实现极紫外光源，也能制造出4纳米，3纳米，甚至2纳米，1纳米芯片。”
“比如我之前提到的光刻厂！”王逸顿了顿，继续道：
“建一个光刻厂，通过粒子对撞，实现极紫外光源，然后通过光刻厂的模式，实现EUV光刻机的效果。”
……
